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三星第七代V NAND闪存最新消息 2021年4月量产

据韩媒报道，三星在研发下一代闪存芯片方面取得了重大进展，VNAND第七代闪存芯片将达到176层，明年4月实现量产。它将是业界第一款高出160层的NAND闪存芯片…

业界快讯 2020年9月10日 215 浏览 评论已经关闭