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据韩媒报道，三星在研发下一代闪存芯片方面取得了重大进展，VNAND第七代闪存芯片将达到176层，明年4月实现量产。它将是业界第一款高出160层的NAND闪存芯片，因此三星将再一次拉大与竞争对手的技术差距，保持其自2002年以来在NAND闪存市场上的第一名。 　　与上一代闪存相比，第七代闪存在堆栈中有了显着的进步。三星的第六代NANDFlash在今年六月开始量产，而第七代NANDFlash将达到176层，虽然还没有达到原定的192层，但是已经取得了显着的进展。 据介绍，第七代NAND闪存采用“双堆”技术，这种技术可以把通孔分成两部分，使电流通过电路。以往，单堆栈只有部分通孔，随着堆栈层数的增加，工艺也在不断改进。 在六月份，三星宣布将投资约9万亿韩元，在位于京畿道平泽的NAND闪存2号生产线上建造新的NAND闪存芯片生产设备，以扩大NAND闪存生产线，预计明年下半年开始投入使用。三星说，它将在新的地点大规模生产先进的NAND存储芯片，可能会比计划中的更早开始生产第七代NAND闪存芯片。 相对于ARAM,NAND闪存是一种更具代表性的存储器芯片，其存储器容量也随着堆栈数量的增加而增大，因此堆栈层数也成为NAND闪存的核心技术。 三星通过降低集成电路的线宽，提升了存储芯片的性能和容量，引领了先进NAND闪存的发展。 三星从2006年开始研究3DNAND闪存。随着存储芯片的发展，存储数据的单元越来越小，当线宽小于10nm时，就很容易受到单元之间的干扰，而3DNAND闪存可以将单元垂直放置在一个平面上，从而降低单元之间的干扰。这种方法可以增加存储容量，就像3DNAND闪存一样，将现有平面结构的NAND垂直堆积起来，这个行业称为3DNAND闪存，被称为VNAND。 在2013年，三星改变了技术范例，成功生产出世界上第一个三维单元结构的VNAND闪存。很多人当时对VNAND闪存的商业化持怀疑态度，但现在所有的存储芯片公司都在与3DNAND闪存展开激烈的竞争。今年已经宣布在长江存储生产128层3DNAND闪存，英特尔今年也发布了144层3DNAND闪存，而SK海力士目前正处于1764DNAND研究阶段，此外，西部数据（WesternDigital）和铠侠（Kioxia）等公司也在竞争。 VNAND闪存的第一代（24层）商业化后，三星不断增加堆栈层，目前已发展到第二代（32层），第三代（48层），第四代（64/72层），第五代（92/96层），第六代（128层）。一般需要1至2年的时间更新一代。 去年8月，三星公司完成了128层VNAND闪存的开发并实现了量产。在那时，三星宣布，它已经为全球PC公司提供基于第六代NAND闪存的企业级PC固态硬盘（SSD）。 三星一直是NAND闪存市场的行业领导者。去年，三星以165.17亿美元的销售额占据了全球市场35.9%的份额，并在NAND闪存市场保持了2002年以来的领先地位。 以下文章网友正在浏览中： 　　统信服务器操作系统V20行业版有什么用处 　　小米10已支持升级到基于Android 11的MIUI 12稳定版 　　RGBW阵列传感器是什么 vivo全新首发 　　荣耀猎人游戏本发布时间 9月16日正式发布 特别提醒：网站内容来源于网络，如果不慎侵犯了您的权益，请与我们联系！我们会在15个工作日内处理。