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三星第七代V NAND闪存最新消息 2021年4月量产

据韩媒报道,三星在研发下一代闪存芯片方面取得了重大进展,VNAND第七代闪存芯片将达到176层,明年4月实现量产。它将是业界第一款高出160层的NAND闪存芯片,因此三星将再一次拉大与竞争对手的技术差距,保持其自2002年以来在NAND闪存市场上的第一名。

三星第七代V NAND闪存最新消息 2021年4月量产
  与上一代闪存相比,第七代闪存在堆栈中有了显着的进步。三星的第六代NANDFlash在今年六月开始量产,而第七代NANDFlash将达到176层,虽然还没有达到原定的192层,但是已经取得了显着的进展。

据介绍,第七代NAND闪存采用“双堆”技术,这种技术可以把通孔分成两部分,使电流通过电路。以往,单堆栈只有部分通孔,随着堆栈层数的增加,工艺也在不断改进。

在六月份,三星宣布将投资约9万亿韩元,在位于京畿道平泽的NAND闪存2号生产线上建造新的NAND闪存芯片生产设备,以扩大NAND闪存生产线,预计明年下半年开始投入使用。三星说,它将在新的地点大规模生产先进的NAND存储芯片,可能会比计划中的更早开始生产第七代NAND闪存芯片。

相对于ARAM,NAND闪存是一种更具代表性的存储器芯片,其存储器容量也随着堆栈数量的增加而增大,因此堆栈层数也成为NAND闪存的核心技术。

三星通过降低集成电路的线宽,提升了存储芯片的性能和容量,引领了先进NAND闪存的发展。
三星从2006年开始研究3DNAND闪存。随着存储芯片的发展,存储数据的单元越来越小,当线宽小于10nm时,就很容易受到单元之间的干扰,而3DNAND闪存可以将单元垂直放置在一个平面上,从而降低单元之间的干扰。这种方法可以增加存储容量,就像3DNAND闪存一样,将现有平面结构的NAND垂直堆积起来,这个行业称为3DNAND闪存,被称为VNAND。

在2013年,三星改变了技术范例,成功生产出世界上第一个三维单元结构的VNAND闪存。很多人当时对VNAND闪存的商业化持怀疑态度,但现在所有的存储芯片公司都在与3DNAND闪存展开激烈的竞争。今年已经宣布在长江存储生产128层3DNAND闪存,英特尔今年也发布了144层3DNAND闪存,而SK海力士目前正处于1764DNAND研究阶段,此外,西部数据(WesternDigital)和铠侠(Kioxia)等公司也在竞争。

VNAND闪存的第一代(24层)商业化后,三星不断增加堆栈层,目前已发展到第二代(32层),第三代(48层),第四代(64/72层),第五代(92/96层),第六代(128层)。一般需要1至2年的时间更新一代。

去年8月,三星公司完成了128层VNAND闪存的开发并实现了量产。在那时,三星宣布,它已经为全球PC公司提供基于第六代NAND闪存的企业级PC固态硬盘(SSD)。

三星一直是NAND闪存市场的行业领导者。去年,三星以165.17亿美元的销售额占据了全球市场35.9%的份额,并在NAND闪存市场保持了2002年以来的领先地位。

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